BTC
ETH
HTX
SOL
BNB
Xem thị trường
简中
繁中
English
日本語
한국어
ภาษาไทย
Tiếng Việt

MSX Quan sát hàng ngày thị trường chứng khoán Mỹ: Nhóm cổ phiếu lưu trữ điều chỉnh liên tục, tiến bộ công nghệ của ChangXin Memory kích hoạt định giá lại

MSX 研究院
特邀专栏作者
@MSX_CN
Bài viết này có khoảng 3008 từ, đọc toàn bộ bài viết mất khoảng 5 phút
Đợt điều chỉnh này giống như việc tái cân bằng định giá dưới kỳ vọng cao hơn là sự đảo chiều chu kỳ lưu trữ đã được dữ liệu xác nhận.
Tóm tắt AI
Mở rộng
  • Quan điểm cốt lõi: Tiến bộ kiến trúc 4F² DRAM của ChangXin Memory đã kích hoạt đợt điều chỉnh tập trung trên toàn bộ nhóm cổ phiếu lưu trữ toàn cầu, nhưng giá hợp đồng DRAM/NAND hiện tại vẫn tiếp tục tăng. Đợt giảm này là sự tái cân bằng định giá dưới kỳ vọng cao, chứ không phải là sự đảo chiều chu kỳ được xác nhận bởi dữ liệu.
  • Yếu tố then chốt:
    1. Ngày 12 tháng 10, Micron giảm khoảng 3,9%, SanDisk giảm khoảng 6%; ngày 13, Samsung Electronics giảm 7,7%, SK Hynix giảm 8,8%, chỉ số KOSPI Hàn Quốc có lúc giảm 7,4% trong phiên.
    2. ChangXin Memory dự kiến ra mắt DDR5 RDIMM máy chủ kiến trúc 4F² trước cuối năm 2026, kiến trúc này có thể nâng cao mật độ ô nhớ và cải thiện chi phí đơn vị.
    3. TrendForce dự báo giá hợp đồng DRAM truyền thống quý 4 năm 2026 tăng 10%–15% so với quý trước, NAND Flash tăng 15%–20%, mức tăng của SSD doanh nghiệp có thể tăng tốc hơn nữa.
    4. Micron đưa ra hướng dẫn doanh thu quý tới khoảng 50 tỷ USD, tỷ suất lợi nhuận gộp khoảng 86%, HBM4 đã xuất hàng loạt cho khách hàng lớn đầu tiên, HBM4E dự kiến sản xuất hàng loạt vào năm 2027.
    5. DDR5 máy chủ cần được xác minh về tỷ lệ lợi nhuận, độ ổn định, mức tiêu thụ điện năng và khả năng tương thích nền tảng. Vẫn còn khoảng cách rõ ràng giữa việc công bố công nghệ và sản xuất thương mại quy mô lớn.
    6. Thị trường phân hóa mang tính cấu trúc: nhu cầu máy chủ AI, HBM và SSD doanh nghiệp mạnh mẽ, trong khi thị trường tiêu dùng như PC và điện thoại thông minh bị hạn chế bởi giá cao.
    7. SanDisk chủ yếu kinh doanh NAND, Western Digital và Seagate chủ yếu kinh doanh ổ cứng cơ học, không liên quan trực tiếp đến tiến bộ DRAM của ChangXin Memory. Việc giảm đồng loạt phản ánh toàn thị trường đang giảm mức độ tiếp xúc với lưu trữ AI.

MSX Quan sát hàng ngày về cổ phiếu Mỹ: Lĩnh vực lưu trữ điều chỉnh liên tục, tiến bộ công nghệ của ChangXin Memory gây định giá lại

【MSX Research Institute · Quan sát hàng ngày RWA cổ phiếu Mỹ】 là báo cáo hàng ngày đặc trưng được sản xuất bởi MSX Maitong, nền tảng giao dịch RWA hàng đầu. Dựa trên năng lực nghiên cứu vĩ mô mạnh mẽ, chúng tôi nắm bắt nhịp đập cốt lõi của thị trường cổ phiếu Mỹ truyền thống toàn cầu, biến động thanh khoản và thị trường mã hóa RWA, giúp bạn định hướng đầu tư vào các tài sản chất lượng cao.

Quan sát hôm nay

Lĩnh vực lưu trữ đang trải qua một đợt điều chỉnh tập trung mới. Vào ngày 12 tháng 10 theo giờ miền Đông nước Mỹ, Micron Technology giảm khoảng 3,9%, SanDisk giảm khoảng 6%; Western Digital và Seagate Technology cũng đồng loạt suy yếu. Vào ngày 13 tháng 10, đà bán tháo tại thị trường châu Á mở rộng hơn nữa, chỉ số KOSPI của Hàn Quốc giảm 7,4% trong phiên, Samsung Electronics và SK Hynix lần lượt giảm 7,7% và 8,8%. Yếu tố kích hoạt trực tiếp của đợt điều chỉnh này là thị trường bắt đầu đánh giá lại tác động của nhà sản xuất lưu trữ Trung Quốc ChangXin Memory đối với cục diện cạnh tranh thị trường DRAM toàn cầu.

ChangXin Memory gần đây đã công bố tiến bộ kiến trúc DRAM 4F², và có kế hoạch ra mắt sản phẩm DDR5 RDIMM cho máy chủ sử dụng kiến trúc này trước cuối năm 2026. So với thiết kế 6F² phổ biến hiện nay trong ngành, kiến trúc 4F² có thể thu nhỏ diện tích chiếm dụng của từng đơn vị lưu trữ, tích hợp nhiều dung lượng lưu trữ hơn trên cùng diện tích wafer, từ đó cải thiện hiệu suất sản xuất và chi phí đơn vị.

Thị trường lo ngại rằng, nếu ChangXin Memory có thể đạt được sản xuất hàng loạt theo kế hoạch và tham gia vào thị trường bộ nhớ máy chủ, nguồn cung DRAM toàn cầu trong tương lai có thể tăng lên, và khả năng định giá mạnh hiện tại của Micron, Samsung và SK Hynix cũng có thể bị ảnh hưởng.

Tuy nhiên, giữa việc công bố lộ trình công nghệ, xác thực mẫu thử và sản xuất hàng loạt thương mại quy mô lớn vẫn còn khoảng cách rõ ràng. Bộ nhớ máy chủ không chỉ yêu cầu dung lượng và tốc độ, mà còn cần vượt qua các xác thực về độ ổn định lâu dài, tỷ lệ lợi nhuận, mức tiêu thụ điện năng và khả năng tương thích với nền tảng máy chủ. Những gì ChangXin Memory công bố hiện tại là kế hoạch sản phẩm, không có nghĩa là họ đã hình thành xuất hàng quy mô lớn, càng không thể trực tiếp suy ra rằng thị trường DRAM sắp xuất hiện tình trạng dư cung.

Từ dữ liệu ngành mới nhất, quan hệ cung cầu của ngành lưu trữ vẫn còn thắt chặt. TrendForce dự báo, giá hợp đồng DRAM truyền thống quý IV năm 2026 sẽ tăng 10% đến 15% so với quý trước, giá hợp đồng NAND Flash sẽ tăng 15% đến 20%. Trong đó, SSD doanh nghiệp được thúc đẩy bởi nhu cầu từ các nhà cung cấp dịch vụ đám mây và trung tâm dữ liệu AI, dự kiến là danh mục chính có mức tăng giá tiếp tục tăng tốc. Nói cách khác, giá chip lưu trữ hiện tại vẫn đang tăng, chỉ là thị trường đã bắt đầu giao dịch trước về nguồn cung mới trong tương lai và sự thay đổi tốc độ tăng giá.

Do đó, đợt điều chỉnh này giống như việc tái cân bằng định giá dưới kỳ vọng cao, chứ không phải là sự đảo chiều chu kỳ lưu trữ đã được dữ liệu xác nhận.

Dữ liệu một phút

• Ngày 12 tháng 10, Micron Technology giảm khoảng 3,9%, SanDisk giảm khoảng 6%, trở thành các cổ phiếu dẫn đầu giảm giá trong lĩnh vực lưu trữ;

• Western Digital giảm khoảng 2,6% trong ngày, Seagate Technology cũng có điều chỉnh rõ rệt;

• Trong phiên giao dịch châu Á ngày 13 tháng 10, Samsung Electronics giảm 7,7%, SK Hynix giảm 8,8%, chỉ số KOSPI của Hàn Quốc có lúc giảm 7,4%;

• ChangXin Memory có kế hoạch ra mắt sản phẩm DDR5 RDIMM cho máy chủ sử dụng kiến trúc 4F² trước cuối năm 2026;

• Kiến trúc 4F² có thể tăng mật độ đơn vị lưu trữ, nhưng sản phẩm vẫn cần trải qua các giai đoạn như tỷ lệ lợi nhuận sản xuất hàng loạt, chứng nhận nền tảng máy chủ và đưa vào khách hàng;

• TrendForce dự báo giá hợp đồng DRAM truyền thống quý IV năm 2026 tăng 10% đến 15% so với quý trước;

• Giá hợp đồng NAND Flash dự kiến tăng 15% đến 20% so với quý trước, mức tăng giá SSD doanh nghiệp có thể tiếp tục tăng nhanh hơn;

• Micron đạt kết quả kinh doanh kỷ lục trong quý gần nhất, và dự báo doanh thu quý tiếp theo khoảng 50 tỷ USD, biên độ 1 tỷ USD, tỷ suất lợi nhuận gộp khoảng 86%;

• HBM4 của Micron đã xuất hàng quy mô lớn cho khách hàng chính đầu tiên, HBM4E dự kiến đưa vào sản xuất hàng loạt năm 2027;

• Thị trường lưu trữ hiện tại thể hiện sự phân hóa rõ rệt: nhu cầu máy chủ AI, HBM và SSD doanh nghiệp mạnh mẽ, trong khi thị trường tiêu dùng như PC, điện thoại thông minh bắt đầu bị hạn chế bởi giá cao và sức mua.

MSX View

Để hiểu đợt điều chỉnh cổ phiếu lưu trữ này, trước tiên cần phân biệt giữa "cơ bản ngành suy yếu" và "thị trường bắt đầu giảm kỳ vọng về tương lai". Hiện tại có thể xác nhận là giá hợp đồng DRAM và NAND vẫn đang tăng, nhu cầu của máy chủ AI đối với HBM, DRAM máy chủ và SSD doanh nghiệp vẫn mạnh mẽ. Hướng dẫn tỷ suất lợi nhuận gộp khoảng 86% cho quý tiếp theo của Micron cũng cho thấy các nhà sản xuất lưu trữ hiện tại vẫn có khả năng định giá rất mạnh.

Nhưng thị trường chứng khoán giao dịch không phải là lợi nhuận hiện tại cao đến đâu, mà là liệu lợi nhuận và giá cả có thể tiếp tục tăng hay không. Khi giá lưu trữ, tỷ suất lợi nhuận gộp và kỳ vọng thị trường đều ở mức cao, đối thủ cạnh tranh mới, tiềm năng mở rộng công suất hoặc tốc độ tăng giá chậm lại đều sẽ kích hoạt điều chỉnh định giá. Ngay cả khi lợi nhuận doanh nghiệp tiếp tục tăng trưởng, chỉ cần tốc độ tăng trưởng thấp hơn kỳ vọng lạc quan trước đó của thị trường, giá cổ phiếu vẫn có thể giảm.

Ý nghĩa của việc ChangXin Memory công bố kiến trúc 4F² chính là ở đây. Trong ngắn hạn, tiến bộ công nghệ của ChangXin Memory sẽ không ngay lập tức thay đổi cục diện cung cầu toàn cầu. Sản phẩm DDR5 cho máy chủ cần được chứng nhận nghiêm ngặt, và liệu DRAM tiên tiến có thể hình thành tỷ lệ lợi nhuận sản xuất hàng loạt đủ cao hay không vẫn cần dữ liệu tiếp theo để xác thực. Hạn chế thiết bị quốc tế, năng lực quy trình tiên tiến và việc đưa vào khách hàng toàn cầu cũng là những vấn đề mà họ cần đối mặt để mở rộng thị phần.

Nhưng trong trung và dài hạn, nếu ChangXin Memory thành công tham gia vào thị trường DRAM máy chủ, có thể trước tiên thay đổi cấu trúc mua sắm của thị trường Trung Quốc, giảm sự phụ thuộc của các nhà sản xuất máy chủ Trung Quốc vào các nhà cung cấp bộ nhớ nước ngoài. Khi công suất dần mở rộng, nguồn cung mới cũng có thể gây áp lực lên giá DDR5 thông dụng. Tuy nhiên, ảnh hưởng này không thể trực tiếp đánh đồng với tác động lên thị trường HBM.

HBM cần quy trình DRAM tiên tiến, xuyên qua silicon, đóng gói xếp chồng, tản nhiệt và xác thực chung với nền tảng GPU. Micron, SK Hynix và Samsung đã bắt đầu tiến tới HBM4, trong khi trọng tâm công bố lần này của ChangXin Memory là DDR5 RDIMM cho máy chủ. Cả hai loại sản phẩm đều thuộc DRAM, nhưng ngưỡng kỹ thuật, cấu trúc khách hàng và tỷ suất lợi nhuận có sự khác biệt rõ rệt.

Do đó, việc Micron bị ảnh hưởng bởi tin tức ChangXin Memory là tương đối hợp lý, vì họ đồng thời kinh doanh DRAM thông dụng, bộ nhớ máy chủ và HBM. Nhưng SanDisk chủ yếu kinh doanh NAND Flash, trong khi hoạt động cốt lõi của Western Digital và Seagate là ổ cứng cơ. Sản phẩm DRAM của ChangXin Memory sẽ không trực tiếp tăng nguồn cung NAND hoặc ổ cứng. Việc các công ty này đồng loạt giảm cho thấy thị trường đang tổng thể giảm mức độ rủi ro đối với giao dịch "lưu trữ AI", chứ không phải cơ bản của mỗi công ty đều bị ảnh hưởng hoàn toàn giống nhau.

SanDisk tiếp theo cần quan sát giá NAND, lượng xuất hàng SSD doanh nghiệp và mua sắm của nhà cung cấp dịch vụ đám mây; Western Digital và Seagate cần chú ý đến nguồn cung ổ cứng gần tuyến, dung lượng mỗi ổ, đơn hàng trung tâm dữ liệu và công suất mới. Định giá tất cả các công ty lưu trữ theo tiến bộ DRAM của ChangXin Memory có thể sẽ bỏ qua sự khác biệt trong cấu trúc kinh doanh của từng công ty.

Một rủi ro khác đáng chú ý là khả năng chịu đựng giá lưu trữ của thị trường tiêu dùng. Trung tâm dữ liệu AI có thể chấp nhận chi phí lưu trữ cao hơn, vì bộ nhớ và lưu trữ trực tiếp quyết định tỷ lệ sử dụng cụm GPU. Nhưng các nhà sản xuất PC và điện thoại thông minh nhạy cảm hơn với giá cả. Khi giá DRAM và NAND tiếp tục tăng, các nhà sản xuất điện tử tiêu dùng có thể giảm mua sắm, giảm dung lượng mỗi thiết bị, hoặc chuyển chi phí cho người tiêu dùng.

Điều này có nghĩa là thị trường lưu trữ có thể xuất hiện hai xu hướng cùng tồn tại: sản phẩm liên quan đến máy chủ AI vẫn cung không đủ cầu, nhưng nhu cầu sản phẩm tiêu dùng bị hạn chế bởi giá cao. Chu kỳ lưu trữ trong tương lai sẽ không đơn giản thể hiện là tất cả sản phẩm cùng tăng hoặc cùng giảm, mà sẽ thể hiện nhiều hơn sự phân hóa trong cấu trúc sản phẩm và cấu trúc khách hàng.

Về MSX Maitong:

MSX là nền tảng giao dịch RWA hàng đầu, cam kết cung cấp quyền truy cập thị trường tài chính toàn cầu an toàn, hiệu quả và minh bạch. Là một trong những nền tảng giao dịch cổ phiếu Mỹ trên chuỗi sớm nhất toàn cầu, MSX luôn đi đầu trong ngành, dẫn dắt thay đổi thị trường bằng đổi mới liên tục.

Nền tảng tích hợp sâu công nghệ blockchain với khung tuân thủ, cung cấp toàn diện giao dịch giao ngay và phái sinh cho gần 400 loại cổ phiếu mã hóa và tài sản trước IPO (Pre-IPO), hoàn hảo thu hẹp khoảng cách giữa tài chính truyền th

tài chính
đầu tư
công nghệ
RWA
美股
Chào mừng tham gia cộng đồng chính thức của Odaily
Nhóm đăng ký:
https://t.me/Odaily_News
Nhóm trò chuyện:
https://t.me/Odaily_GoldenApe
Tài khoản chính thức:
https://twitter.com/OdailyChina
Tìm kiếm
Mục lục bài viết
Tải ứng dụng Odaily Nhật Báo Hành Tinh
Hãy để một số người hiểu Web3.0 trước
IOS
Android