MSX 美股每日观察：存储板块连续调整，长鑫存储技术进展引发估值重估

MSX ข้อสังเกตหุ้นสหรัฐรายวัน: กลุ่มหน่วยความจำปรับตัวต่อเนื่อง ความคืบหน้าทางเทคโนโลยีของ ChangXin Memory ทำให้เกิดการประเมินมูลค่าใหม่

【MSX Research Institute · MSX ข้อสังเกตหุ้นสหรัฐ RWA รายวัน】 เป็นรายงานประจำวันที่เป็นเอกลักษณ์ที่ผลิตโดย MSX Maitong แพลตฟอร์มการซื้อขาย RWA ชั้นนำ เราอาศัยความสามารถในการวิจัย macroeconomic ที่แข็งแกร่ง เพื่อจับชีพจรหลักของหุ้นสหรัฐแบบดั้งเดิมทั่วโลก การเปลี่ยนแปลงสภาพคล่อง และตลาดโทเค็น RWA ช่วยให้คุณวางแผนล่วงหน้าสำหรับสินทรัพย์คุณภาพสูง

ข้อสังเกตวันนี้

กลุ่มหน่วยความจำกำลังเผชิญกับการปรับตัวแบบรวมศูนย์รอบใหม่ เมื่อเวลา 12 ตุลาคม ตามเวลาตะวันออกของสหรัฐฯ Micron Technology ลดลงประมาณ 3.9% SanDisk ลดลงประมาณ 6% Western Digital และ Seagate Technology ก็อ่อนตัวลงเช่นกัน เมื่อวันที่ 13 ตุลาคม การเทขายในตลาดเอเชียขยายวงกว้างขึ้น ดัชนีรวมราคาหุ้นเกาหลีลดลง 7.4% ในระหว่างวัน Samsung Electronics และ SK Hynix ลดลง 7.7% และ 8.8% ตามลำดับ ปัจจัยกระตุ้นโดยตรงของการปรับตัวครั้งนี้ คือตลาดเริ่มประเมินผลกระทบของผู้ผลิตหน่วยความจำจีน ChangXin Memory ต่อรูปแบบการแข่งขัน DRAM ทั่วโลกใหม่

ChangXin Memory เพิ่งประกาศความคืบหน้าของสถาปัตยกรรม DRAM 4F² และวางแผนที่จะเปิดตัวผลิตภัณฑ์ DDR5 RDIMM สำหรับเซิร์ฟเวอร์ที่ใช้สถาปัตยกรรมนี้ภายในสิ้นปี 2026 เมื่อเทียบกับการออกแบบ 6F² ที่ใช้กันทั่วไปในอุตสาหกรรมปัจจุบัน สถาปัตยกรรม 4F² สามารถลดพื้นที่ที่แต่ละเซลล์หน่วยความจำใช้ได้ รวมความจุหน่วยความจำได้มากขึ้นบนพื้นที่เวเฟอร์เดียวกัน จึงปรับปรุงประสิทธิภาพการผลิตและต้นทุนต่อหน่วย

ตลาดกังวลว่าหาก ChangXin Memory สามารถผลิตจำนวนมากได้ตามแผนและเข้าสู่ตลาดหน่วยความจำเซิร์ฟเวอร์ อุปทาน DRAM ทั่วโลกในอนาคตอาจเพิ่มขึ้น และความสามารถในการกำหนดราคาที่แข็งแกร่งในปัจจุบันของ Micron Samsung และ SK Hynix ก็อาจได้รับผลกระทบ

อย่างไรก็ตาม ยังมีช่องว่างที่ชัดเจนระหว่างการประกาศเส้นทางเทคโนโลยี การตรวจสอบตัวอย่าง และการผลิตเชิงพาณิชย์ขนาดใหญ่ หน่วยความจำเซิร์ฟเวอร์ไม่เพียงต้องการความจุและความเร็ว แต่ยังต้องผ่านการตรวจสอบเสถียรภาพระยะยาว อัตราผลผลิต พลังงาน และความเข้ากันได้กับแพลตฟอร์มเซิร์ฟเวอร์ สิ่งที่ ChangXin Memory เปิดเผยในปัจจุบันคือแผนผลิตภัณฑ์ ไม่ได้หมายความว่าบริษัทได้สร้างการจัดส่งขนาดใหญ่แล้ว และไม่สามารถสรุปได้โดยตรงว่าตลาด DRAM กำลังจะเกิดอุปทานส่วนเกิน

จากข้อมูลอุตสาหกรรมล่าสุด ความสัมพันธ์ระหว่างอุปสงค์และอุปทานในอุตสาหกรรมหน่วยความจำยังคงตึงตัว TrendForce คาดว่าราคาสัญญา DRAM แบบดั้งเดิมในไตรมาสที่สี่ของปี 2026 จะเพิ่มขึ้น 10% ถึง 15% เมื่อเทียบกับไตรมาสก่อน และราคาสัญญา NAND Flash จะเพิ่มขึ้น 15% ถึง 20% ในจำนวนนี้ SSD ระดับองค์กรที่ได้รับแรงหนุนจากความต้องการของ cloud service providers และ AI data centers คาดว่าจะเป็นประเภทหลักที่ราคาเพิ่มขึ้นเร่งตัวขึ้น กล่าวคือ ราคาชิปหน่วยความจำในปัจจุบันยังคงเพิ่มขึ้น เพียงแต่ตลาดเริ่มซื้อขายล่วงหน้าถึงอุปทานใหม่ในอนาคตและการเปลี่ยนแปลงของอัตราการเพิ่มขึ้นของราคา

ดังนั้น การปรับตัวครั้งนี้จึง更像การปรับสมดุลการประเมินมูลค่าภายใต้ความคาดหวังสูง มากกว่าการกลับตัวของวงจรหน่วยความจำที่ได้รับการยืนยันจากข้อมูลแล้ว

ข้อมูลหนึ่งนาที

• 12 ตุลาคม Micron Technology ลดลงประมาณ 3.9% SanDisk ลดลงประมาณ 6% กลายเป็นหลักทรัพย์ชั้นนำที่ลดลงของกลุ่มหน่วยความจำ;

• Western Digital ลดลงประมาณ 2.6% ในวันนั้น Seagate Technology ก็มีการปรับตัวที่ชัดเจน;

• 13 ตุลาคม ระหว่างการซื้อขายในเอเชีย Samsung Electronics ลดลง 7.7% SK Hynix ลดลง 8.8% ดัชนีรวมราคาหุ้นเกาหลีเคยลดลง 7.4%;

• ChangXin Memory วางแผนที่จะเปิดตัวผลิตภัณฑ์ DDR5 RDIMM สำหรับเซิร์ฟเวอร์ที่ใช้สถาปัตยกรรม 4F² ภายในสิ้นปี 2026;

• สถาปัตยกรรม 4F² สามารถเพิ่มความหนาแน่นของเซลล์หน่วยความจำ แต่ผลิตภัณฑ์ยังต้องผ่านขั้นตอนต่างๆ เช่น อัตราผลผลิตการผลิตจำนวนมาก การรับรองแพลตฟอร์มเซิร์ฟเวอร์ และการนำเข้าของลูกค้า;

• TrendForce คาดว่าราคาสัญญา DRAM แบบดั้งเดิมในไตรมาสที่สี่ของปี 2026 จะเพิ่มขึ้น 10% ถึง 15% เมื่อเทียบกับไตรมาสก่อน;

• ราคาสัญญา NAND Flash คาดว่าจะเพิ่มขึ้น 15% ถึง 20% เมื่อเทียบกับไตรมาสก่อน และราคา SSD ระดับองค์กรอาจเร่งตัวขึ้นอีก;

• Micron ทำผลงานได้สูงสุดเป็นประวัติการณ์ในไตรมาสล่าสุด และคาดว่ารายได้ในไตรมาสถัดไปจะอยู่ที่ประมาณ 5 หมื่นล้านดอลลาร์ บวกหรือลบ 1 พันล้านดอลลาร์ อัตรากำไรขั้นต้นประมาณ 86%;

• HBM4 ของ Micron ได้เริ่มจัดส่งจำนวนมากให้กับลูกค้ารายใหญ่รายแรกแล้ว HBM4E วางแผนที่จะเข้าสู่การผลิตจำนวนมากในปี 2027;

• ตลาดหน่วยความจำในปัจจุบันมีความแตกต่างอย่างชัดเจน: ความต้องการ AI servers, HBM และ SSD ระดับองค์กรแข็งแกร่ง ในขณะที่ตลาดผู้บริโภคเช่น PC และสมาร์ทโฟนเริ่มได้รับผลกระทบจากราคาสูงและข้อจำกัดด้านกำลังซื้อ

MSX View

เพื่อทำความเข้าใจการปรับตัวของหุ้นหน่วยความจำรอบนี้ ก่อนอื่นจำเป็นต้องแยกแยะระหว่าง "พื้นฐานอุตสาหกรรมอ่อนตัวลง" และ "ตลาดเริ่มลดความคาดหวังต่ออนาคต" สิ่งที่สามารถยืนยันได้ในปัจจุบันคือราคาสัญญา DRAM และ NAND ยังคงเพิ่มขึ้น ความต้องการ HBM, เซิร์ฟเวอร์ DRAM และ SSD ระดับองค์กรของ AI servers ยังคงแข็งแกร่ง คำแนะนำอัตรากำไรขั้นต้นประมาณ 86% ในไตรมาสถัดไปของ Micron ก็แสดงให้เห็นว่าผู้ผลิตหน่วยความจำในปัจจุบันยังคงมีความสามารถในการกำหนดราคาที่แข็งแกร่งมาก

แต่ตลาดหุ้นไม่ได้ซื้อขายด้วยว่ากำไรในปัจจุบันสูงแค่ไหน แต่ซื้อขายด้วยว่ากำไรและราคาจะยังคงเพิ่มขึ้นต่อไปได้หรือไม่ เมื่อราคาหน่วยความจำ อัตรากำไรขั้นต้น และความคาดหวังของตลาดอยู่ในระดับสูง ผู้แข่งขันใหม่ การขยายกำลังการผลิตที่เป็นไปได้ หรือการชะลอตัวของอัตราการเพิ่มขึ้นของราคา ล้วนจะกระตุ้นการปรับตัวของการประเมินมูลค่า แม้ว่าบริษัทจะยังคงมีกำไรเติบโตต่อไป ตราบใดที่อัตราการเติบโตต่ำกว่าความคาดหวังเชิงบวกก่อนหน้านี้ของตลาด ราคาหุ้นก็ยังอาจลดลงได้

ความหมายของการประกาศสถาปัตยกรรม 4F² ของ ChangXin Memory อยู่ตรงนี้ ในระยะสั้น ความคืบหน้าทางเทคโนโลยีของ ChangXin Memory จะไม่เปลี่ยนแปลงรูปแบบอุปสงค์และอุปทานทั่วโลกในทันที ผลิตภัณฑ์ DDR5 สำหรับเซิร์ฟเวอร์ต้องผ่านการรับรองที่เข้มงวด และว่า DRAM ขั้นสูงจะสามารถสร้างอัตราผลผลิตการผลิตจำนวนมากที่สูงพอได้หรือไม่ ก็ยังต้องรอข้อมูลในภายหลังเพื่อยืนยัน ข้อจำกัดด้านอุปกรณ์ระหว่างประเทศ ความสามารถด้านกระบวนการผลิตขั้นสูง และการนำเข้าของลูกค้าทั่วโลกก็เป็นปัญหาที่ต้องเผชิญในการขยายส่วนแบ่งตลาดเช่นกัน

แต่ในระยะกลางและระยะยาว หาก ChangXin Memory เข้าสู่ตลาดเซิร์ฟเวอร์ DRAM ได้สำเร็จ อาจเปลี่ยนโครงสร้างการจัดซื้อของตลาดจีนก่อน ลดการพึ่งพาของผู้ผลิตเซิร์ฟเวอร์จีนต่อซัพพลายเออร์หน่วยความจำต่างประเทศ เมื่อกำลังการผลิตค่อยๆ ขยายตัว อุปทานใหม่ก็อาจสร้างแรงกดดันต่อราคา DDR5 ทั่วไป อย่างไรก็ตาม ผลกระทบนี้ไม่สามารถเทียบได้โดยตรงกับผลกระทบต่อตลาด HBM

HBM ต้องการกระบวนการผลิต DRAM ขั้นสูง 硅通孔 การบรรจุแบบซ้อน การระบายความร้อน และการตรวจสอบร่วมกับแพลตฟอร์ม GPU Micron SK Hynix และ Samsung ได้เริ่มก้าวไปสู่ HBM4 แล้ว จุดเน้นที่ ChangXin Memory ประกาศในครั้งนี้คือ DDR5 RDIMM สำหรับเซิร์ฟเวอร์ ผลิตภัณฑ์ทั้งสองประเภทเป็น DRAM แต่เกณฑ์ทางเทคโนโลยี โครงสร้างลูกค้า และอัตรากำไรมีความแตกต่างกันอย่างชัดเจน

ดังนั้น การที่ Micron ได้รับผลกระทบจากข่าวของ ChangXin Memory จึงค่อนข้างสมเหตุสมผล เพราะดำเนินธุรกิจ DRAM ทั่วไป หน่วยความจำเซิร์ฟเวอร์ และ HBM ไปพร้อมกัน แต่ SanDisk หลักๆ ดำเนินธุรกิจ NAND Flash ส่วนธุรกิจหลักของ Western Digital และ Seagate คือฮาร์ดดิสก์เชิงกล ผลิตภัณฑ์ DRAM ของ ChangXin Memory จะไม่เพิ่มอุปทาน NAND หรือฮาร์ดดิสก์โดยตรง การที่บริษัทเหล่านี้ลดลงพร้อมกันแสดงให้เห็นว่าตลาดกำลังลดความเสี่ยงโดยรวมต่อการซื้อขาย "AI storage" ไม่ใช่ว่าพื้นฐานของแต่ละบริษัทได้รับผลกระทบเหมือนกันทั้งหมด

สิ่งต่อไปที่ SanDisk ต้องจับตามากขึ้นคือราคา NAND ปริมาณการจัดส่ง SSD ระดับองค์กร และการจัดซื้อของ cloud service providers; Western Digital และ Seagate ต้องจับตามองอุปทานฮาร์ดดิสก์ nearline ความจุต่อลูก คำสั่งซื้อ data center และกำลังการผลิตใหม่ การกำหนดราคาบริษัทหน่วยความจำทั้งหมดตามความคืบหน้า DRAM ของ ChangXin Memory อาจละเลยความแตกต่างในโครงสร้างธุรกิจของแต่ละบริษัท

ความเสี่ยงอีกประการที่น่าจับตามอง คือความสามารถในการรับราคาหน่วยความจำของตลาดผู้บริโภค AI data centers สามารถยอมรับต้นทุนหน่วยความจำที่สูงขึ้นได้ เพราะหน่วยความจำและที่เก็บข้อมูลกำหนดอัตราการใช้งาน GPU cluster โดยตรง แต่ผู้ผลิต PC และสมาร์ทโฟนมีความอ่อนไหวต่อราคามากกว่า เมื่อราคา DRAM และ NAND เพิ่มขึ้นอย่างต่อเนื่อง ผู้ผลิตอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภคอาจลดการจัดซื้อ ลดความจุต่อเครื่อง หรือผลักภาระต้นทุนให้ผู้บริโภค

ซึ่งหมายความว่าตลาดหน่วยความจำอาจมีสองแนวโน้มที่ coexist: ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้องกับ AI servers ยังคงอุปสงค์เกินอุปทาน แต่ความต้องการผลิตภัณฑ์สำหรับผู้บริโภคกลับถูกกดดันจากราคาสูง วงจรหน่วยความจำในอนาคตจะไม่แสดงออกง่ายๆ ว่าผลิตภัณฑ์ทั้งหมดเพิ่มขึ้นหรือลดลงพร้อมกัน แต่จะสะท้อนความแตกต่างของโครงสร้างผลิตภัณฑ์และโครงสร้างลูกค้ามากขึ้น

เกี่ยวกับ MSX Maitong:

MSX เป็นแพลตฟอร์มการซื้อขาย RWA ชั้นนำ มุ่งมั่นที่จะ提供การเข้าถึงตลาดการเงินโลกที่ปลอดภัย มีประสิทธิภาพ และโปร่งใส ในฐานะหนึ่งในแพลตฟอร์มการซื้อขายหุ้นสหรัฐบนเชนที่เก่าแก่ที่สุดในโลก MSX ยืนหยัดอยู่แถวหน้าของอุตสาหกรรมเสมอ นำการเปลี่ยนแปลงของตลาดด้วยนวัตกรรมอย่างต่อเนื่อง

แพลตฟอร์มผสานเทคโนโลยีบล็อกเชนเข้ากับกรอบการกำกับดูแลอย่างลึกซึ้ง ให้บริการซื้อขาย现货และอนุพันธ์ของหุ้นโทเค็นและสินทรัพย์ก่อน IPO (Pre-IPO) เกือบ 400 ประเภท เชื่อมช่องว่างระหว่างการเงินแบบดั้งเดิมและอุตสาหกรรมสินทรัพย์ดิจิทัลได้อย่างสมบูรณ์

ด้วยพันธกิจหลัก "ให้สินทรัพย์คุณภาพสูงหมุนเวียนอย่างเสรี" MSX ได้สร้างระบบบริการการเงินดิจิทัลที่หลากหลาย ครอบคลุมหุ้นสหรัฐ现货และสัญญาถาวร การซื้อขาย币币 Pre-IPO และ MSX Research Institute โดยมีเป้าหมายเพื่อให้บริการนักลงทุนทั่วโลกด้วย入口การเข้าถึงสินทรัพย์คุณภาพสูงแบบตลอดเวลาและประสิทธิภาพสูง

เว็บไซต์อย่างเป็นทางการ: https://msx.com/

TG ภาษาจีน: https://t.me/MSXOfficial

Global TG: https://t.me/MSXGlobal

X: https://x.com/MSX_CN

Global App Store / Google Play พร้อมให้ดาวน์โหลดแล้ว

คำเตือนความเสี่ยง: เศรษฐกิจมหภาคและตลาดหุ้นสหรัฐมีความผันผวนอย่างรุนแรง เนื้อหาของบทความนี้มีไว้เพื่อการอ้างอิงทางวิชาการและการสังเกตการวิจัยของ MSX Research Institute เท่านั้น ไม่ถือเป็นคำแนะนำในการลงทุนใดๆ