美股存儲晶片跳水，中國DRAM巨頭攪動全球格局？

原文作者：李丹

原文來源：華爾街見聞

中國存儲晶片龍頭長鑫科技登陸 A 股首日的火爆表現，正在成為全球存儲晶片板塊的新變數。

週一美股盤中，存儲晶片股重挫，成為大盤最大拖累。閃迪（SNDK）盤中跌超 10%、早盤刷新日低時跌約 14.6%，較 6 月 22 日創下的歷史高點累跌 47%，過去一個月內市值蒸發約 1700 億美元；SK 海力士 ADR（SKHY）盤中曾跌約 10%，西部數據（WDC）和希捷科技（STX）盤中曾分別跌超 9%和 8%，美光科技（MU）一度跌超 7%。

到收盤，閃迪、SK 海力士 ADR、西部數據、希捷科技和美光分別跌約 11%、7.5%、4.2%、4.1%和 2.3%。SK 海力士自 7 月 10 日赴美上市以來首次收盤跌破 IPO 發行價，收盤較發行價低 4%。

早盤刷新日低時，追蹤晶片股總體表現的費城半導體指數跌約 5%，表現遠遜三大美股指，最終收跌 2.2%。標普 500 指數和納指刷新日低時分別跌約 0.4%和 0.8%，道指全天保持漲勢。

市場普遍將矛頭指向當天在上交所科創板上市的長鑫科技（CXMT）。這家中國最大的 DRAM 廠商上市首日股價暴漲超 460%，市值突破 3 兆元人民幣，成為新的 A 股市值一哥，也令全球投資者重新評估未來幾年 DRAM 行業的競爭格局。

中國 DRAM 龍頭上市，引發全球存儲板塊重估

對於本週一美股存儲晶片股大跌，多家外媒認為，市場擔憂的並非長鑫科技短期業績，而是全球 DRAM 供給格局未來可能發生變化。

分析認為，長鑫科技完成亞洲今年規模最大的 IPO 後，意味著公司獲得更加充裕的資本支持，其未來擴產、技術研發以及向 HBM 等 AI 高端存儲領域邁進的能力都有望增強。對於此前已經大幅上漲的全球存儲晶片龍頭而言，這意味著長期競爭壓力正在上升。

有評論指出，市場擔心隨著長鑫科技融資完成，未來 DRAM 新增供給可能加快釋放，從而削弱當前市場對於存儲價格持續上漲的樂觀預期。與此同時，此前美光、SK 海力士、閃迪等存儲股經歷了大幅上漲，在高估值背景下，任何競爭格局變化都容易觸發獲利回吐。

還有評論認為，本輪迴調更多體現為市場重新定價。雖然 AI 推動的 HBM 需求依舊強勁，但投資者開始重新思考：如果中國廠商持續提升產能和技術實力，未來傳統 DRAM 業務是否會提前進入競爭加劇階段，進而影響行業利潤率。

不過，不少分析師認為，市場反應可能存在一定程度的過度解讀。

目前長鑫科技產品仍主要集中在 DDR4、DDR5 等傳統 DRAM 領域，而美光、SK 海力士和三星當前利潤增長最快的業務來自 HBM 等 AI 存儲產品。受美國出口限制影響，長鑫科技短期內進入 HBM 高端市場仍面臨較高技術門檻，因此全球 AI 存儲市場格局短期內難以發生根本改變。

長鑫科技首日暴漲，資本市場押注「中國存儲」

長鑫科技此次 IPO 本身就備受全球關注。

公司此次募集資金約 579 億元人民幣（約 86 億美元），創今年亞洲 IPO 募資規模新高。上市首日、本週一，公司股價收盤較發行價漲 465.82%，總市值達 3.28 兆，超越工商銀行、成為 A 股總市值之首，市值相當於兩個貴州茅台。

週一全天，長鑫科技成交額超 1400 億元，成為 A 股史上首隻單日成交額突破千億元的個股。

公開資料顯示，長鑫科技成立於 2016 年，是中國規模最大的 DRAM 晶片製造商，也是中國實現 DRAM 自主研發和量產的重要代表企業。目前公司產品覆蓋消費電子、PC、伺服器、汽車電子等多個領域，並持續推進 DDR5 等新產品研發。

國內媒體普遍認為，長鑫科技上市不僅意味著中國半導體產業迎來新的里程碑，也意味著資本市場正在給予國產高端製造和「硬科技」更高估值溢價。市場期待募集資金將進一步支持先進製程研發、擴大產能以及完善國產存儲產業鏈。

AI 時代，真正決定勝負的仍是 HBM

不過，從全球競爭格局來看，多數機構仍認為，美光、SK 海力士和三星在 AI 存儲領域的領先優勢短期難以撼動。

當前 AI 伺服器需求爆發，使 HBM 成為全球最緊缺的半導體產品之一。美光和 SK 海力士幾乎包攬了輝達等 AI 晶片廠商的 HBM 供應，相關業務也是推動兩家公司盈利快速增長的核心動力。

因此，不少分析人士認為，週一存儲股的大跌更像是一次情緒驅動的估值調整，而非行業基本面出現轉折點。隨著 AI 基礎設施建設持續推進，高端存儲需求仍有望保持高速增長。

Bernstein 分析師 Mark Li 甚至認為，當天板塊回調反而提供了新的佈局機會。他預計，到 2027 年至 2028 年，全球存儲晶片市場收入仍有望突破 1.3 兆美元，AI 時代的數據中心建設將持續支撐 DRAM 和 HBM 需求增長。