SK Hynix ขยายขอบเขตการจ้างผลิตภายนอกสำหรับบรรจุภัณฑ์ฟลิปชิปของเซมิคอนดักเตอร์หน่วยความจำ
Odaily รายงานว่า SK Hynix ขยายขอบเขตการจ้างผลิตภายนอกสำหรับบรรจุภัณฑ์ฟลิปชิปของเซมิคอนดักเตอร์หน่วยความจำ ต่อจาก A-PROTECH ซัพพลายเออร์ OSAT (การจ้างผลิตภายนอกสำหรับบรรจุภัณฑ์และทดสอบเซมิคอนดักเตอร์) SK Hynix เริ่มจ้างธุรกิจเพิ่มเติมให้กับ WINPAC ซึ่งเป็นการร่วมมือกันอีกครั้งของทั้งสองบริษัทหลังจากห่างหายไปสี่ปี
SK Hynix วางแผนที่จะมอบคำสั่งจ้างผลิตบรรจุภัณฑ์ชิปหน่วยความจำ DRAM บางส่วนในรุ่น DDR4 และ DDR5 ให้ Winpac รับดำเนินการ โดย Winpac ได้เสร็จสิ้นการเตรียมความพร้อมสายการผลิต เช่น การปรับแต่งอุปกรณ์ที่โรงงานบรรจุภัณฑ์ในเขต P แล้ว และขณะนี้ได้เข้าสู่ขั้นตอนการผลิตจำนวนมาก เขตดังกล่าวรับผิดชอบการบรรจุภัณฑ์ผลิตภัณฑ์ประสิทธิภาพสูง เช่น DRAM, NAND แฟลช และ eUFS หน่วยความจำแฟลชแบบฝังอเนกประสงค์ โดยกำลังการผลิตต่อเดือนเพิ่มขึ้นจาก 44 ล้านชิ้นเป็น 50 ล้านชิ้น (Jinshi)
