三星電子、NVIDIA向けNAND供給協力を拡大、V9・V10フラッシュメモリーの展開を加速

Odaily星球日報によると、Samsung ElectronicsはNVIDIAとのNANDフラッシュメモリー分野での協力を拡大しており、これまでに進めてきたDRAM、高帯域メモリー（HBM）、およびウェハー受託生産の協力に加え、ストレージチップの供給関係をさらに強化しています。報告によると、サムスンは第10世代V-NAND（V10）の量産を開始し、NVIDIAへの出荷を開始するとともに、第9世代V-NAND（V9）の生産能力を拡大し、第11世代となる500層級のV-NAND（V11）の開発を推進しています。サムスンは現在、月産10万ウェハーを超えるV-NANDの生産能力を有しており、そのうち約60％の生産能力がV9製品に割り当てられているとされています。（財聯社）