SK Hynix và SanDisk công bố thông số kỹ thuật tiêu chuẩn đầu tiên của HBF, dung lượng tối đa 512GB

Tin tức từ Odaily Planet Daily: SK Hynix và SanDisk đã công bố thông số kỹ thuật tiêu chuẩn đầu tiên của High Bandwidth Flash (HBF), công nghệ lưu trữ thế hệ tiếp theo dựa trên NAND flash. SK Hynix đã trình bày thông số kỹ thuật này tại sự kiện FMS 2026, diễn ra từ ngày 4 đến 6 tháng 8 tại Santa Clara, California, Hoa Kỳ.

HBF xếp chồng NAND flash theo cách xếp chồng theo chiều dọc tương tự như High Bandwidth Memory (HBM) nhằm tăng dung lượng và tốc độ truyền dữ liệu. Thông số kỹ thuật này được định nghĩa theo hai cấu hình xếp chồng 8 lớp và 16 lớp NAND die, với dung lượng tối đa 512GB, băng thông được chia thành ba mức, hỗ trợ từ 0,4TB đến 3,0TB mỗi giây.

HBF kết nối với bộ xử lý thông qua tiêu chuẩn UCIe của ngành, có thể kết nối với các loại bộ xử lý khác nhau như GPU, CPU. Thông số kỹ thuật này được công bố thông qua tổ chức hợp tác kỹ thuật trung tâm dữ liệu mở OCP. Liên minh HBF hiện bao gồm Google và công ty bán dẫn AI Tenstorrent.

Tại sự kiện này, SK Hynix cũng sẽ lần đầu tiên công bố wafer và sản phẩm NAND 4D 375 lớp thế hệ thứ 10 (V10) đang trong quá trình phát triển, đồng thời có kế hoạch bắt đầu sản xuất hàng loạt SSD doanh nghiệp (eSSD) hiệu năng cao, dung lượng lớn sử dụng công nghệ này vào đầu năm sau.