长鑫存储拟年底小规模生产LPDDR6手机存储芯片

Odaily รายงานว่า แหล่งข่าวผู้เกี่ยวข้องเปิดเผยว่า ChangXin Memory Technologies (CXMT) เตรียมผลิตชิปหน่วยความจำ功耗ต่ำขั้นสูงรุ่น LPDDR6 ในระดับเล็กภายในสิ้นปีนี้ หากการทดสอบต้นแบบเป็นไปอย่างราบรื่น บริษัทจะดำเนินการผลิตเชิงพาณิชย์ในขั้นต่อไป LPDDR6 เป็นชิปหน่วยความจำ功耗ต่ำรุ่นถัดไปที่ออกแบบมาสำหรับสมาร์ทโฟนและแล็ปท็อป ซึ่งช่วยเพิ่มความเร็วในการถ่ายโอนข้อมูลและประสิทธิภาพด้านพลังงาน พร้อมรองรับการทำงานของแอปพลิเคชัน AI ในเครื่อง (BloomBerg)