三星電子は器興に新DRAM工場を建設する計画で、月産能力は約10万枚のウェーハと見込まれる

Odaily星球日报 報道によると、Citrini のアナリスト jukan 氏は X プラットフォームで、Samsung Electronics が器興キャンパスに新しい DRAM ウェーハ工場を建設する計画であり、元々研究開発センター向けに確保されていた敷地をメモリ生産施設に転換すると発表した。この施設の月産能力は約 10 万枚のウェーハで、総投資額は数十兆ウォンに達すると予測されている。Samsung Electronics は新工場建設を推進するために社内チームを組織しており、早ければ第 3 四半期に初期工事を開始する可能性がある。Counterpoint Research は、製品価格の上昇に牽引され、世界の DRAM 市場の収益が今年の 1,500 億ドルから最大 2,100 億ドルに成長すると予想している。Samsung Electronics はまた、平沢 P4 工場に月産 10 万枚のウェーハを生産する新ラインを設置しており、第 6 世代 HBM、すなわち HBM4 向けの DRAM を生産可能にし、京畿道龍仁の次世代半導体クラスターにウェーハ工場を建設する計画で、2029 年の初期生産開始を目標としている。さらに、同社は全羅南道光州半導体クラスターで 2 つの先端半導体ウェーハ工場の建設を進めており、総投資額は 400 兆ウォンに上る。