韩媒：三星电子与SK海力士或推迟下一代HBM混合键合技术导入

Theo truyền thông Hàn Quốc, Samsung Electronics và SK Hynix đang đánh giá lại lịch trình áp dụng công nghệ liên kết lai (Hybrid Bonding) cho thế hệ bộ nhớ băng thông cao (HBM) tiếp theo. Do nhu cầu giảm độ dày và cải thiện hiệu suất tản nhiệt của HBM suy giảm, thị trường dự đoán thời điểm triển khai công nghệ này có thể bị trì hoãn hơn so với dự kiến trước đó. Đồng thời, hai công ty đang phát triển các giải pháp tản nhiệt mới như HPB và iHBM, đồng thời lên kế hoạch ứng dụng cho sản phẩm HBM5. Tuy nhiên, giới trong ngành cho rằng, với sự gia tăng liên tục về số lượng I/O của HBM trong tương lai, liên kết lai vẫn sẽ là lộ trình công nghệ quan trọng trong trung và dài hạn.