Citrini phân tích: CXMT của Trung Quốc thử nghiệm dây chuyền sản xuất thử DRAM liên kết, truyền thông Hàn Quốc cho rằng công nghệ và tốc độ phát triển của họ có thể vượt qua các đối thủ Hàn Quốc

Theo tin tức từ Odaily Planet Daily, nhà phân tích jukan của Citrini đã đăng trên nền tảng X rằng, truyền thông Hàn Quốc đưa tin CXMT của Trung Quốc hiện đang thử nghiệm một dây chuyền sản xuất thử DRAM liên kết tại Hợp Phì, với mục tiêu đạt được hiệu suất DRAM cao mà không cần sử dụng máy quang khắc EUV. DRAM liên kết là công nghệ trong đó mảng ô nhớ và mạch ngoại vi được chế tạo trên các tấm bán dẫn khác nhau, sau đó được liên kết lại với nhau. Phương pháp này chỉ sử dụng máy quang khắc DUV (cực tím sâu) với kỹ thuật tạo hình đa lớp để sản xuất DRAM siêu mật độ cao mà không cần thiết bị EUV.

Samsung Electronics đang phát triển DRAM liên kết của riêng mình trong dự án "B1b", và SK hynix cũng đang thúc đẩy công nghệ tương tự. Truyền thông Hàn Quốc cảnh báo rằng có những đánh giá cho rằng CXMT hiện có thể đang dẫn trước các đối thủ Hàn Quốc về cả công nghệ lẫn tốc độ phát triển.