삼성전자가 엔비디아의 요구에 따라 TSMC 3nm 공정으로 NVHBM 베이스 다이를 제조할 예정

Odaily 보도에 따르면, Citrini 애널리스트 jukan이 X 플랫폼에 게시한 글에서 한국 매체 보도를 인용해 삼성전자가 엔비디아의 요구에 따라 TSMC 3nm 공정으로 NVHBM 베이스 다이를 제조하기로 결정했다고 밝혔다. 삼성전자는 자사 파운드리 라인 사용을 완전히 배제하지 않았으며, NVHBM 수요가 TSMC 생산 능력을 초과할 경우 베이스 다이를 내부에서 생산하는 방안의 실현 가능성을 검증하고 있다.