SK 하이닉스, 용인 Y1 팹 장비 조달 착수…내년 2월 시험 생산 라인 구축 예정

Odaily星球日报讯 SK 하이닉스가 한국 용인에 위치한 Y1 팹을 위한 첨단 DRAM 제조 장비 조달에 나섰으며, 초기 계획 생산 능력은 월 약 2만 장의 웨이퍼 수준이다. SK 하이닉스는 Y1 Ph1 가동 시점을 당초 내년 5월에서 내년 2월로 앞당기기로 했으며, 내년 2월 시험 생산 라인 구축을 시작한 뒤 3~4월에 대규모 장비 설치를 추진할 예정이다. 해당 팹은 6세대 10나노급 1c DRAM 생산을 목표로 하며, 이 제품은 AI 서버 관련 DDR, LPDDR 제품에 사용될 예정이고, 차세대 HBM4E에도 적용할 계획이다. (ZDNET Korea)