韓メディア：サムスン、SKハイニックスがHBM研究開発と投資を強化

Odaily星球日报訊 韓国のサムスン電子とSKハイニックスは、HBMおよび次世代メモリ技術への投資を加速し、優位性を維持しようとしている。サムスン電子は、第2四半期の研究開発投資が過去最高の16兆ウォン（約116億ドル）に達したと発表し、HBM4、HBM4E、DDR5などの先端メモリ製品の展開を拡大する計画だ。

一方、SKハイニックスはHBM5、ハイブリッドボンディング、iHBMなどの次世代技術を開発中であり、今年の設備投資規模は40兆ウォン（約326億ドル）に達する見込みだ。（newsis）