US Secretary of Commerce đốc thúc Samsung, Hynix xây dựng nhà máy chip nhớ tại Mỹ

Theo tin từ Odaily, Bộ trưởng Thương mại Mỹ Howard Lutnick hôm thứ Năm (9/5) trong sự kiện kỷ niệm nhà máy mới của Micron gần Syracuse, New York, đã bày tỏ mong muốn Samsung Electronics và SK Hynix cũng xây dựng cơ sở sản xuất tại Mỹ. Micron gần đây đã tăng quy mô đầu tư cơ sở bán dẫn tại Mỹ từ 200 tỷ USD lên 250 tỷ USD, đồng thời đặt kế hoạch sản xuất 40% tổng sản lượng DRAM của hãng tại Mỹ vào năm 2035. Samsung Electronics đang xây dựng nhà máy đúc chip tiên tiến tại Taylor, Texas, trong khi SK Hynix đang xây dựng nhà máy đóng gói tiên tiến tại West Lafayette, Indiana, nhưng hai công ty này hiện chưa có nhà máy chế tạo wafer (front-end) cho chip nhớ tại Mỹ. Cuối tháng trước, Samsung Electronics và SK Hynix đã công bố kế hoạch đầu tư bán dẫn quy mô lớn trong nước với tổng số tiền lên tới 3200 nghìn tỷ won dành cho các dự án như Khu liên hợp bán dẫn Yongin, Nhà máy đóng gói Cheongju và Khu liên hợp bán dẫn vòng Tây Nam (ZDNet Korea Semiconductor).